Infineon IKW40N120CH7XKSA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 273-2978
- Référence fabricant:
- IKW40N120CH7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|
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| 5 - 9 | 6,85 € |
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| 25 - 49 | 5,83 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2978
- Référence fabricant:
- IKW40N120CH7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 20.8mm | |
| Series | TRENCHSTOPTM IGBT7 | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Width | 16.13 mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 20.8mm | ||
Series TRENCHSTOPTM IGBT7 | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Width 16.13 mm | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT7 H7 discrete in TO-247 3pin package technology has been developed to fulfill the demand in applications focusing on decarbonisation such as solar photovoltaic, uninterruptible power supplies and battery chargers.
Optimized performance in application conditions
Humidity robustness under harsh environment
Improved EMI performance
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