Infineon, Type N-Channel IGBT, 100 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 273-2974
- Référence fabricant:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|
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| 5 - 9 | 9,42 € |
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| 25 - 49 | 8,00 € |
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- N° de stock RS:
- 273-2974
- Référence fabricant:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 361W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 66ns | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 20.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Series | TRENCHSTOP IGBT7 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 361W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 66ns | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 20.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Series TRENCHSTOP IGBT7 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT7 H7 discrete in TO-247PLUS-3pin package has been developed to fulfill the demand in applications focusing on decarbonisation such as solar photovoltaic, uninterruptible power supplies and battery chargers.
Optimized performance in application conditions
Lowest conduction losses
Humidity robustness under harsh environment
Improved EMI performance
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