Infineon IGBT, 24 A 600 V TO-263
- N° de stock RS:
- 258-7063
- Référence fabricant:
- IKB10N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
615,00 €
(TVA exclue)
744,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 21 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,615 € | 615,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-7063
- Référence fabricant:
- IKB10N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 24A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | TRENCHSTOPTM | |
| Standards/Approvals | JEDEC1 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 24A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Package Type TO-263 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series TRENCHSTOPTM | ||
Standards/Approvals JEDEC1 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.
Lowest VCEsat drop for lower conduction losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behaviour
Low gate charg
Liens connexes
- Infineon IKB10N60TATMA1 IGBT, 24 A 600 V TO-263
- Infineon 34 A 600 V TO-263
- Infineon AUIRG4BC30SSTRL 34 A 600 V TO-263
- Infineon IGBT Module, 24 A 600 V TO-220
- Infineon IKP10N60TXKSA1 IGBT Module, 24 A 600 V TO-220
- Infineon 20 A 600 V Surface
- Infineon IGB10N60TATMA1 20 A 600 V Surface
- Infineon 12 A 600 V Through Hole