Infineon IKB10N60TATMA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 30 A 600 V TO-263-3

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

615,00 €

(TVA exclue)

744,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 25 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +0,615 €615,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-7063
Référence fabricant:
IKB10N60TATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

110 W

Configuration

Single Collector, Single Emitter, Single Gate

Package Type

TO-263-3

The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.

Lowest VCEsat drop for lower conduction losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behaviour
Low gate charg

Liens connexes