Infineon IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT Transistor Module PG-TO263-7
- N° de stock RS:
- 258-3757
- Référence fabricant:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 10 - 24 | 4,26 € |
| 25 - 49 | 4,03 € |
| 50 - 99 | 3,75 € |
| 100 + | 3,46 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3757
- Référence fabricant:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
The Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET in a D2PAK-7L package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability in operation. The low power losses of CoolSiC technology, combined with XT interconnection technology in a new 1200 V optimized SMD package, enables top efficiency and passive cooling potential in applications such as drives, chargers and industrial powers supplies.
Very low switching losses
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
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