Infineon IKW30N65ET7XKSA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- N° de stock RS:
- 258-1014
- Référence fabricant:
- IKW30N65ET7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 10 - 24 | 3,06 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-1014
- Référence fabricant:
- IKW30N65ET7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | 7 | |
| Width | 16.3 mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Length | 41.9mm | |
| Height | 5.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series 7 | ||
Width 16.3 mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Length 41.9mm | ||
Height 5.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon hard-switching 650 V, 30 A TRENCHSTOP IGBT7 discrete in TO-247 package with soft EC7 diode inside. This price performance optimized range has premium controllability for the better EMI while switching losses are lower than the former technologies.
Low turn-off losses
Short tail current
Reduced EMI
Humidity robust design
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