onsemi FGHL50T65SQ IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
189-0476
Référence fabricant:
FGHL50T65SQ
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

268 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. FGHL50T65SQ is single IGBT. This IGBT offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

VCE(sat) = 1.6V (typ.) @ IC = 50A
High speed switching
Low consuction loss
Low switching loss
Applications
PFC
End Products
Power supply
Air conditioner

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