onsemi NXH40B120MNQ1SNG IGBT Module Q1BOOST, Surface

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N° de stock RS:
245-6984
Référence fabricant:
NXH40B120MNQ1SNG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

IGBT Module

Number of Transistors

3

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Package Type

Q1BOOST

Mount Type

Surface

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

NXH40B120MNQ1SNG

Standards/Approvals

RoHS

Length

55.2mm

Height

13.9mm

Automotive Standard

No

Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Three Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel-plated DBC


The ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG is a power module containing a three channel boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

40 m/1200 V SiC MOSFET Half−Bridge

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