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onsemi NXH40B120MNQ1SNG IGBT Module Q1BOOST, Surface

N° de stock RS:: 245-6984
Référence fabricant:: NXH40B120MNQ1SNG
Fabricant:: onsemi

onsemi NXH40B120MNQ1SNG IGBT Module Q1BOOST, Surface

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N° de stock RS:: 245-6984
Référence fabricant:: NXH40B120MNQ1SNG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Number of Transistors	3
	Package Type	Q1BOOST
	Mount Type	Surface
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	32.8mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	13.9mm
	Length	55.2mm
	Series	NXH40B120MNQ1SNG
	Automotive Standard	No

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	Marque onsemi
	Product Type IGBT Module
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Number of Transistors 3
	Package Type Q1BOOST
	Mount Type Surface
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 32.8mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 13.9mm
	Length 55.2mm
	Series NXH40B120MNQ1SNG
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH40B120MNQ1SNG

Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Three Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel-plated DBC

The ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG is a power module containing a three channel boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

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Options with Pre Applied Thermal Interface Material and without Pre Applied TIM

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onsemi NXH40B120MNQ1SNG IGBT Module Q1BOOST, Surface

Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Three Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel-plated DBC

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