Infineon FS200R06KE3BOSA1 IGBT Module, 200 A 600 V EconoPACK
- N° de stock RS:
- 244-5863
- Référence fabricant:
- FS200R06KE3BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 10 unités)*
1 225,01 €
(TVA exclue)
1 482,26 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 + | 122,501 € | 1 225,01 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5863
- Référence fabricant:
- FS200R06KE3BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Power Dissipation | 600 W | |
| Package Type | EconoPACK | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 200 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Power Dissipation 600 W | ||
Package Type EconoPACK | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 600 V and toatal power dissipation is 600 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 1.90 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 1.90 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
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