Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
- N° de stock RS:
- 244-5408
- Référence fabricant:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5408
- Référence fabricant:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 150 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Maximum Power Dissipation | 750 W | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 150 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Maximum Power Dissipation 750 W | ||
Number of Transistors 6 | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.35 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.35 nF
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