Références fabricant

Infineon IGBT Module, 200 A 1200 V EconoPACKTM3

N° de stock RS:: 244-5403
Référence fabricant:: FS150R12KT3BOSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IGBT Module, 200 A 1200 V EconoPACKTM3

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

1 110,85 €

(TVA exclue)

1 344,13 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	le plateau*
10 +	111,085 €	1 110,85 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 244-5403
Référence fabricant:: FS150R12KT3BOSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	200A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation Pd	700W
	Package Type	EconoPACKTM3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Series	FS150R12KT3
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 200A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation Pd 700W
	Package Type EconoPACKTM3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Series FS150R12KT3
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FS150R12KT3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA

Temperature under switching conditions 125° C

Gate-emitter leakage current 400 nA

Reverse transfer capacitance 0.40 nF

Infineon IGBT Module, 200 A 1200 V EconoPACKTM3

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