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Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

N° de stock RS:: 244-5403
Référence fabricant:: FS150R12KT3BOSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

1 740,78 €

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2 106,34 €

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Unité	Prix par unité	le plateau*
10 +	174,078 €	1 740,78 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 244-5403
Référence fabricant:: FS150R12KT3BOSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	200 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation	700 W

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 200 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation 700 W

Datasheet - FS150R12KT3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

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