Références fabricant

Infineon IGBT Module, 450 A 1200 V

N° de stock RS:: 244-5822
Référence fabricant:: FF300R12KT4HOSA1
Fabricant:: Infineon

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

1 281,36 €

(TVA exclue)

1 550,45 €

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Unité	Prix par unité	le plateau*
10 +	128,136 €	1 281,36 €

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N° de stock RS:: 244-5822
Référence fabricant:: FF300R12KT4HOSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	450A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	1600W
	Number of Transistors	2
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	61.4mm
	Series	FF
	Length	106.4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 450A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 1600W
	Number of Transistors 2
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 61.4mm
	Series FF
	Length 106.4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FF300R12KT4HOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 1600 W, maximum gate threshold voltage is 6.4 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

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