Références fabricant

Infineon IGBT Module, 450 A 1200 V

N° de stock RS:: 244-5822
Référence fabricant:: FF300R12KT4HOSA1
Fabricant:: Infineon

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

1 020,32 €

(TVA exclue)

1 234,59 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	le plateau*
10 +	102,032 €	1 020,32 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 244-5822
Référence fabricant:: FF300R12KT4HOSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	450A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	2
	Maximum Power Dissipation Pd	1600W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	FF
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 450A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 2
	Maximum Power Dissipation Pd 1600W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series FF
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FF300R12KT4HOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 1600 W, maximum gate threshold voltage is 6.4 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon IGBT Module, 450 A 1200 V

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