Infineon IGBT Module 600 V
- N° de stock RS:
- 244-5399
- Référence fabricant:
- FP50R06W2E3BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 25,264 € | 378,96 € |
| 30 + | 24,001 € | 360,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5399
- Référence fabricant:
- FP50R06W2E3BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175W | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 51mm | |
| Height | 12mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | FP50R06W2E3B | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175W | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 51mm | ||
Height 12mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series FP50R06W2E3B | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Electrical features
Low switching losses
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps