Infineon FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module, 65 A 600 V

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244-5399
Référence fabricant:
FP50R06W2E3BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

65 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

175 W

Number of Transistors

7

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features
Low switching losses
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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