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Infineon FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module, 65 A 600 V

N° de stock RS:: 244-5399
Référence fabricant:: FP50R06W2E3BOMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module, 65 A 600 V

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Unité	Prix par unité	le plateau*
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30 +	36,632 €	549,48 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 244-5399
Référence fabricant:: FP50R06W2E3BOMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	65 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation	175 W

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 65 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation 175 W

Datasheet - FP50R06W2E3BOMA1

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features
Low switching losses
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps

Infineon FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module, 65 A 600 V

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