Infineon FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module 600 V

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244-5401
Référence fabricant:
FP50R06W2E3BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

175W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

51mm

Height

12mm

Series

FP50R06W2E3B

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features

Low switching losses

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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