STMicroelectronics IGBT 1200 V, 3-Pin

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

187,89 €

(TVA exclue)

227,34 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 270 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 306,263 €187,89 €
60 +5,95 €178,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
244-3194
Référence fabricant:
STGYA50H120DF2
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

535W

Pin Count

3

Switching Speed

5μs

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

H

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature TJ = 175 °C

5 μs of short-circuit withstand time

Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A

Tight parameter distribution

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Low thermal resistance

Very fast recovery antiparallel diode

Liens connexes