Infineon IKW50N120CS7XKSA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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232-6732
Référence fabricant:
IKW50N120CS7XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

428W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Height

5.3mm

Length

21.5mm

Series

IKW50N120CS7

Automotive Standard

No

The Infineon's 50 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 discrete comes in TO-247 package with EC7 diode inside. It offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications and the co-packed very soft and fast emitter controlled diode helps to minimize switching losses contributing to overall low total losses. Potential applications include industrial drives, industrial power supplies and solar inverters.

Good controllability

Full rated free wheeling diode with improved softness

Higher power density without heatsink redesign

Ease to design to meet EMI requirement

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