Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 31-Pin AG-EASY2B, Through Hole

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222-4802
Référence fabricant:
FP50R12W2T7B11BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Number of Transistors

7

Package Type

AG-EASY2B

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

31

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

FP50R12W2T7_B11

Length

56.7mm

Height

16.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 50 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.

Low VCEsat

TRENCHSTOP™ IGBT7

Overload operation up to 175°C

2.5 kV AC 1min insulation

Al2O3 substrate with low thermal resistance

High power density

Compact design

PressFIT contact technology

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