Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-EASY2B
- N° de stock RS:
- 222-4802
- Référence fabricant:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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| 1 - 1 | 45,19 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4802
- Référence fabricant:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Package Type | AG-EASY2B | |
| Channel Type | N | |
| Transistor Configuration | Common Emitter | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
Package Type AG-EASY2B | ||
Channel Type N | ||
Transistor Configuration Common Emitter | ||
The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 50 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Low VCEsat
TRENCHSTOP™ IGBT7
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Compact design
PressFIT contact technology
TRENCHSTOP™ IGBT7
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
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