Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 35 A 1200 V AG-EASY2B

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222-4799
Référence fabricant:
FP35R12W2T7B11BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

35 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

20 mW

Package Type

AG-EASY2B

Channel Type

N

Transistor Configuration

Common Emitter

The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 35 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.

Low VCEsat
TRENCHSTOP™ IGBT7
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Compact design
PressFIT contact technology

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