Infineon FF600R12KE4EBOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 7-Pin 62 mm

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218-4339
Référence fabricant:
FF600R12KE4EBOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

600 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

20 mW

Number of Transistors

2

Package Type

62 mm

Configuration

Common Emitter

Channel Type

N

Pin Count

7

Transistor Configuration

Common Emitter

The Infineon C series IGBT module with emitter controlled HE diode and fast TRENCHSTOP IGBT4. It has collector emitter voltage of 1200 V and collector current of 600 A. It is mainly used in motor control and drives, solutions for solar energy systems, UPS system and high power converters.

Highest power density
Flexibility
Optimal electrical performance
Highest reliability
High creepage and clearance distances

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