Infineon FF1500R12IE5BPSA1, N-Channel IGBT, 1.5 kA 1.2 kV, 10-Pin PRIME3, Surface
- N° de stock RS:
- 218-4323
- Référence fabricant:
- FF1500R12IE5BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 218-4323
- Référence fabricant:
- FF1500R12IE5BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 1.5kA | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1.2kV | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Package Type | PRIME3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 10 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 247mm | |
| Height | 38.25mm | |
| Width | 86mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 1.5kA | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 2 | ||
Package Type PRIME3 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 10 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 247mm | ||
Height 38.25mm | ||
Width 86mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon PrimePack dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT5 and .XT interconnection technology. It has collector emitter voltage of 1200 V. The N-Channel TRENCHSTOP and field stop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as high power converters, UPS system, motor drives and solar applications.
Copper bonds for high current carrying capabilities
Sintering of chips for highest power cycling capabilities
Total losses reduced by up to 20%
Less cooling effort for same output power
Enables higher system overload conditions
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