STMicroelectronics STGW100H65FB2-4 IGBT, 145 A 650 V, 4-Pin TO247-4

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

135,12 €

(TVA exclue)

163,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 540 unité(s) expédiée(s) à partir du 22 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 904,504 €135,12 €
120 - 4804,094 €122,82 €
510 - 9903,989 €119,67 €
1020 +3,889 €116,67 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
212-2106
Référence fabricant:
STGW100H65FB2-4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

145 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

441 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO247-4

Channel Type

N

Pin Count

4

Transistor Configuration

Single

IGBT


The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represent an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast application.

Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient

Liens connexes