STMicroelectronics STGF20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220FP

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

66,20 €

(TVA exclue)

80,10 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 501,324 €66,20 €
100 - 2001,288 €64,40 €
250 - 4501,253 €62,65 €
500 - 9501,222 €61,10 €
1000 +1,191 €59,55 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
204-9871
Référence fabricant:
STGF20H65DFB2
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

45 W

Package Type

TO-220FP

Pin Count

3

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance

Liens connexes