Infineon IKP20N60TXKSA1 IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

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170-2258
Référence fabricant:
IKP20N60TXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

41 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

166 W

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.36 x 4.57 x 15.95mm

Energy Rating

0.77mJ

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Infineon IGBT


The Infineon IGBT is a 3-pin N-channel TO-220 through-hole mount transistor. It has a current rating of 41A and a voltage rating of 600V 3rd generation reverse conducting IGBT optimized for lower switching and conduction losses. Its soft switching behaviour allows for better performance and EMI behaviour. With the help of this transistor excellent performance can be achieved at lower costs.

Features and Benefits


• Cost efficient
• High efficiency
• Low EMI emissions
• Low switching losses
• Lowest V ce (sat) drop for lower conduction losses
• Maximum power dissipation is 166W
• Operating temperature ranges between -40°C and 175°C
• Reduced power dissipation
• Surge current capability
• Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode

Applications


• Home appliances
• Induction cooking stoves
• Industrial drives
• Microwave ovens
• Rice cookers
• UPS
• Welding

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

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