Toshiba, Type N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

157,15 €

(TVA exclue)

190,15 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 50 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
50 +3,143 €157,15 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
168-7766
Référence fabricant:
GT30J121
Fabricant:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

Insulated Gate Bipolar Transistor

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.45V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes

Recently viewed