Toshiba GT30J121, Type N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
- N° de stock RS:
- 796-5058
- Référence fabricant:
- GT30J121
- Fabricant:
- Toshiba
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
4,50 €
(TVA exclue)
5,44 €
(TVA incluse)
Ajouter 17 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 10 unité(s) prête(s) à être expédiée(s)
- Plus 16 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 81 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 4,50 € |
| 25 - 49 | 4,27 € |
| 50 - 199 | 4,03 € |
| 200 - 399 | 3,60 € |
| 400 + | 3,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 796-5058
- Référence fabricant:
- GT30J121
- Fabricant:
- Toshiba
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Product Type | Insulated Gate Bipolar Transistor | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Package Type | TO-3P | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.45V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Product Type Insulated Gate Bipolar Transistor | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Package Type TO-3P | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.45V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Liens connexes
- Toshiba GT30J121 IGBT 3-Pin TO-3P, Through Hole
- Toshiba GT50JR22 IGBT 3-Pin TO-3P, Through Hole
- Toshiba GT50JR21 IGBT 3-Pin TO-3P, Through Hole
- Toshiba GT50J342 80 A 600 V Through Hole
- Toshiba GT20J341 IGBT 3-Pin TO-220SIS, Through Hole
- Toshiba GT15J341 IGBT 3-Pin TO-220SIS, Through Hole
- Toshiba GT40QR21 40 A 1200 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWT30H60DFB IGBT 3-Pin TO-3P, Through Hole