IXYS, Type N-Channel XPT IGBT Module, 450 A 1200 V, 11-Pin SimBus F, PCB

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N° de stock RS:
146-1703
Référence fabricant:
MIXA450PF1200TSF
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Maximum Continuous Collector Current Ic

450A

Product Type

XPT IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation Pd

2100W

Package Type

SimBus F

Mount Type

PCB

Channel Type

Type N

Pin Count

11

Switching Speed

85ns

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.8V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

17mm

Series

MIXA450PF1200TSF

Standards/Approvals

IEC 60747, RoHS

Length

152mm

Width

62 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
DE

IGBT Modules, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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