IXYS MIXA225PF1200TSF Dual IGBT Module, 360 A 1200 V, 11-Pin SimBus F, PCB Mount

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

127,21 €

(TVA exclue)

153,92 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 4127,21 €
5 - 9123,90 €
10 - 24120,71 €
25 +117,68 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
124-0710
Référence fabricant:
MIXA225PF1200TSF
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

360 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

1100 W

Configuration

Dual

Package Type

SimBus F

Mounting Type

PCB Mount

Channel Type

N

Pin Count

11

Transistor Configuration

Series

Dimensions

152 x 62 x 17mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

IGBT Modules, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes