STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Single IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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215-030
Référence fabricant:
GWA40MS120DF4AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

536 W

Configuration

Single

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the MS series IGBTs, which represent an evolution of low-loss M series specifically designed for inverter system thanks to the outstanding short-circuit capability at high bus voltage value. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Minimized tail current
Tight parameter distribution
Safer paralleling

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