STMicroelectronics L6387ED013TR High Side Gate Driver 2, 650 mA 8-Pin 17 V, SO-8

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 985,00 €

(TVA exclue)

3 612,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 19 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +1,194 €2 985,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
152-014
Référence fabricant:
L6387ED013TR
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

650mA

Pin Count

8

Fall Time

30ns

Package Type

SO-8

Number of Outputs

2

Driver Type

High Side

Rise Time

50ns

Minimum Supply Voltage

17V

Number of Drivers

2

Maximum Supply Voltage

17V

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

L6387ED013TR

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Mount Type

Surface

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics simple and Compact high voltage gate driver, manufactured with the BCD “offline” technology, and able to drive a half-bridge of power MOSFET or IGBT devices. The high-side (floating) section is enabled to work with voltage rail up to 600 V. Both device outputs can independently sink and source 650 mA and 400 mA respectively and cannot be simultaneously driven high thanks to an integrated interlocking function.

Internal bootstrap diode

Outputs in phase with inputs

Interlocking function

Liens connexes