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Infineon 4 kB FRAM 8-Pin SOIC, FM24C04B-GTR

N° de stock RS:: 215-5779
Référence fabricant:: FM24C04B-GTR
Fabricant:: Infineon

Infineon 4 kB FRAM 8-Pin SOIC, FM24C04B-GTR

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N° de stock RS:: 215-5779
Référence fabricant:: FM24C04B-GTR
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	FRAM
	Memory Size	4kB
	Data Bus Width	8bit
	Maximum Random Access Time	10ns
	Mount Type	Surface
	Maximum Clock Frequency	1MHz
	Package Type	SOIC
	Pin Count	8
	Standards/Approvals	No
	Length	4.97mm
	Height	1.48mm
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Number of Words	512
	Maximum Supply Voltage	5.5V
	Automotive Standard	AEC-Q100
	Number of Bits per Word	8
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Minimum Supply Voltage	4.5V

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type FRAM
	Memory Size 4kB
	Data Bus Width 8bit
	Maximum Random Access Time 10ns
	Mount Type Surface
	Maximum Clock Frequency 1MHz
	Package Type SOIC
	Pin Count 8
	Standards/Approvals No
	Length 4.97mm
	Height 1.48mm
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Number of Words 512
	Maximum Supply Voltage 5.5V
	Automotive Standard AEC-Q100
	Number of Bits per Word 8
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Minimum Supply Voltage 4.5V

Datasheet - FM24C04B-GTR

The Cypress Semiconductor FM24C04B is a 4-Kbit non-volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system-level reliability problems caused by EEPROM and other non-volatile memories.

4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8

High-endurance 100 trillion (1014) read/writes

151-year data retention

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

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