Références fabricant

Infineon 4 kB FRAM 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 215-5778
Référence fabricant:: FM24C04B-GTR
Fabricant:: Infineon

Sous-total (1 tube de 2500 unités)*

2 900,00 €

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3 500,00 €

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N° de stock RS:: 215-5778
Référence fabricant:: FM24C04B-GTR
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Memory Size	4kB
	Product Type	FRAM
	Data Bus Width	8bit
	Maximum Random Access Time	10ns
	Mount Type	Surface
	Maximum Clock Frequency	1MHz
	Package Type	SOIC
	Pin Count	8
	Height	1.48mm
	Standards/Approvals	No
	Length	4.97mm
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Maximum Supply Voltage	5.5V
	Automotive Standard	AEC-Q100
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Number of Bits per Word	8
	Number of Words	512
	Minimum Supply Voltage	4.5V

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Memory Size 4kB
	Product Type FRAM
	Data Bus Width 8bit
	Maximum Random Access Time 10ns
	Mount Type Surface
	Maximum Clock Frequency 1MHz
	Package Type SOIC
	Pin Count 8
	Height 1.48mm
	Standards/Approvals No
	Length 4.97mm
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Maximum Supply Voltage 5.5V
	Automotive Standard AEC-Q100
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Number of Bits per Word 8
	Number of Words 512
	Minimum Supply Voltage 4.5V

Datasheet - FM24C04B-GTR

The Cypress Semiconductor FM24C04B is a 4-Kbit non-volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system-level reliability problems caused by EEPROM and other non-volatile memories.

4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8

High-endurance 100 trillion (1014) read/writes

151-year data retention

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

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