Infineon BFS481H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363
- N° de stock RS:
- 273-7308
- Référence fabricant:
- BFS481H6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
849,00 €
(TVA exclue)
1 026,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 17 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,283 € | 849,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7308
- Référence fabricant:
- BFS481H6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Two (Galvanic) Internal Isolated Transistors In One Package | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 6 | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Series | BFS481 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Two (Galvanic) Internal Isolated Transistors In One Package | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 6 | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Series BFS481 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.
Halogen free
Easy to use
Pb free package
RoHS compliant
With visible leads
Liens connexes
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon BFR181WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon BFR182WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343