Références fabricant

Infineon BFR193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

N° de stock RS:: 165-5621
Référence fabricant:: BFR193WH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon BFR193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

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N° de stock RS:: 165-5621
Référence fabricant:: BFR193WH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	20V
	Package Type	SOT-323
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Maximum Power Dissipation Pd	580mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2mm
	Length	2.1mm
	Series	BFR193W
	Height	900μm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V
	Package Type SOT-323
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Transistor Polarity NPN
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Maximum Power Dissipation Pd 580mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2mm
	Length 2.1mm
	Series BFR193W
	Height 900μm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

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