Infineon RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

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N° de stock RS:
259-1459
Référence fabricant:
BFS483H6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Pin Count

6

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Series

BFS

Standards/Approvals

RoHS

Width

2mm

Length

2.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA.

Pb-free (RoHS compliant) package

Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package

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