Infineon RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

Voir la catégorie
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

708,00 €

(TVA exclue)

858,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 07 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 30000,236 €708,00 €
6000 +0,225 €675,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
259-1459
Référence fabricant:
BFS483H6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Pin Count

6

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

BFS

Length

2.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA.

Pb-free (RoHS compliant) package

Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.