Infineon BFR182WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323

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N° de stock RS:
273-7304
Référence fabricant:
BFR182WH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

35mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

BFR182W

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for low noise and high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.

Easy to use

Halogen free

Pb free package

RoHS compliant

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