Infineon Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor, 65 mA, 20 V, 4-Pin SOT-143

Voir la catégorie
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

13,15 €

(TVA exclue)

15,90 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 950 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
50 - 500,263 €13,15 €
100 - 2000,24 €12,00 €
250 - 4500,222 €11,10 €
500 - 9500,217 €10,85 €
1000 +0,213 €10,65 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-7294
Référence fabricant:
BFP183E7764HTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-143

Mount Type

Surface

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Minimum DC Current Gain hFE

70

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Series

BFP183

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.

Pb free package

RoHS compliant

Liens connexes