Références fabricant

Infineon BFP183E7764HTSA1 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor, 65 mA, 20 V, 4-Pin SOT-143

N° de stock RS:: 273-7292
Référence fabricant:: BFP183E7764HTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon BFP183E7764HTSA1 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor, 65 mA, 20 V, 4-Pin SOT-143

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N° de stock RS:: 273-7292
Référence fabricant:: BFP183E7764HTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	65mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	20V
	Package Type	SOT-143
	Mount Type	Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	BFP183
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Infineon
	Product Type Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 65mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V
	Package Type SOT-143
	Mount Type Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series BFP183
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BFP183E7764HTSA1

The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.

Pb free package

RoHS compliant

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