Infineon Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

Voir la catégorie
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

336,00 €

(TVA exclue)

408,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 9 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 24 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 30000,112 €336,00 €
6000 - 120000,106 €318,00 €
15000 +0,102 €306,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-6996
Référence fabricant:
BFR183E6327HTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Transistor Polarity

NPN

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

BFR183

Height

1mm

Length

2.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon low noise silicon bipolar RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.