Infineon BFR193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

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N° de stock RS:
259-1456
Référence fabricant:
BFR193WH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

80mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

580mW

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BFR193W

Width

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

900μm

Length

2.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor. It is various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

fT 8 GHz, NFmin 1 dB at 900 MHz

Pb-free (RoHS compliant) package

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