Infineon BFR183E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

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N° de stock RS:
258-7737
Référence fabricant:
BFR183E6327HTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Height

1mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

BFR183

Length

2.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon low noise silicon bipolar RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

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