onsemi FQB5N90TM Digital Transistor N-Channel Surface, 2-Pin
- N° de stock RS:
- 186-7897
- Référence fabricant:
- FQB5N90TM
- Fabricant:
- onsemi
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|---|---|---|
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- N° de stock RS:
- 186-7897
- Référence fabricant:
- FQB5N90TM
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 158W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 2 | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.58mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Polarity N-Channel | ||
Maximum Power Dissipation Pd 158W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 2 | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.58mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.7A
Low gate charge ( Typ. 31nC)
Low Crss ( Typ. 13pF)
Applications
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