onsemi FQB5N90TM Digital Transistor N-Channel Surface, 2-Pin

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
186-7897
Référence fabricant:
FQB5N90TM
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

Digital Transistor

Mount Type

Surface

Maximum Power Dissipation Pd

158W

Transistor Polarity

N-Channel

Pin Count

2

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

9.65mm

Height

4.58mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.7A

Low gate charge ( Typ. 31nC)

Low Crss ( Typ. 13pF)

Applications

Lighting

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