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onsemi NSVS1001CLTWG Bipolar Transistor, -2.5 A PNP, -100 V, 8-Pin LFPAK8

N° de stock RS:: 333-398
Référence fabricant:: NSVS1001CLTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi NSVS1001CLTWG Bipolar Transistor, -2.5 A PNP, -100 V, 8-Pin LFPAK8

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N° de stock RS:: 333-398
Référence fabricant:: NSVS1001CLTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	-2.5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	-100V
	Package Type	LFPAK8
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	-120V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Minimum DC Current Gain hFE	140
	Transistor Polarity	PNP
	Maximum Transition Frequency ft	200MHz
	Maximum Power Dissipation Pd	2.2W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	-7V
	Pin Count	8
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	NSS1001CL
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc -2.5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -100V
	Package Type LFPAK8
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO -120V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Minimum DC Current Gain hFE 140
	Transistor Polarity PNP
	Maximum Transition Frequency ft 200MHz
	Maximum Power Dissipation Pd 2.2W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO -7V
	Pin Count 8
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series NSS1001CL
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NSVS1001CLTWG

Pays d'origine :: PH

The ON Semiconductor PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for high-speed switching and power applications. It features a collector-emitter voltage of -100V and a continuous collector current of -2.5A, making it suitable for automotive and industrial applications.

Low Collector to Emitter Saturation Voltage

AEC Q101 qualified

LFPAK8 package

Pb Free and Halogen Free

RoHS Compliant

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