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onsemi NSS1002CLTWG Bipolar Transistor, 2.5 A NPN, 100 V, 8-Pin LFPAK8

N° de stock RS:: 333-378
Référence fabricant:: NSS1002CLTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi NSS1002CLTWG Bipolar Transistor, 2.5 A NPN, 100 V, 8-Pin LFPAK8

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N° de stock RS:: 333-378
Référence fabricant:: NSS1002CLTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	2.5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	100V
	Package Type	LFPAK8
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	120V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	6.5V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.2W
	Maximum Transition Frequency ft	200MHz
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Minimum DC Current Gain hFE	140
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Pin Count	8
	Series	NSS1002CL
	Standards/Approvals	Pb-Free, RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Product Type Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 2.5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V
	Package Type LFPAK8
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 120V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6.5V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.2W
	Maximum Transition Frequency ft 200MHz
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Minimum DC Current Gain hFE 140
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Pin Count 8
	Series NSS1002CL
	Standards/Approvals Pb-Free, RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NSS1002CLTWG

Pays d'origine :: PH

The ON Semiconductor NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for high-speed switching and power applications. It features a collector-emitter voltage of 100V and a continuous collector current of 2.5A, making it suitable for automotive and industrial applications.

Low Collector to Emitter Saturation Voltage

AEC Q101 qualified

LFPAK8 package

Pb Free and Halogen Free

RoHS Compliant

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