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onsemi BCP56MTWG Bipolar Transistor, 1.0 A NPN, 80 V dc, 3-Pin WDFNW3

N° de stock RS:: 333-387
Référence fabricant:: BCP56MTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi BCP56MTWG Bipolar Transistor, 1.0 A NPN, 80 V dc, 3-Pin WDFNW3

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N° de stock RS:: 333-387
Référence fabricant:: BCP56MTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	1.0A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	80V dc
	Package Type	WDFNW3
	Mount Type	Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	100V
	Minimum Operating Temperature	65°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.5W
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum DC Current Gain hFE	63
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	6.0V
	Maximum Transition Frequency ft	140MHz
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	3
	Standards/Approvals	RoHS, Pb-Free
	Width	2mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Product Type Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 1.0A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V dc
	Package Type WDFNW3
	Mount Type Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V
	Minimum Operating Temperature 65°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.5W
	Transistor Polarity NPN
	Minimum DC Current Gain hFE 63
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6.0V
	Maximum Transition Frequency ft 140MHz
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 3
	Standards/Approvals RoHS, Pb-Free
	Width 2mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BCP56MTWG

Pays d'origine :: MY

The ON Semiconductor General Purpose Transistor Medium Power is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in DFN2020-3 offering superior thermal performance. The transistor is Ideal for medium−power surface mount applications where board space and reliability are at a premium.

AEC Q101 qualified

WDFNW3 package

Pb Free and Halogen Free

RoHS Compliant

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