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onsemi NSVBCP5316MTWG Bipolar Transistor, 1.0 A PNP, 80 V, 3-Pin WDFNW3

N° de stock RS:: 333-393
Référence fabricant:: NSVBCP5316MTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi NSVBCP5316MTWG Bipolar Transistor, 1.0 A PNP, 80 V, 3-Pin WDFNW3

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N° de stock RS:: 333-393
Référence fabricant:: NSVBCP5316MTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	1.0A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	80V
	Package Type	WDFNW3
	Mount Type	Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	100V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	6.0V
	Minimum DC Current Gain hFE	63
	Maximum Power Dissipation Pd	1.5W
	Maximum Transition Frequency ft	130MHz
	Minimum Operating Temperature	65°C
	Transistor Polarity	PNP
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	BCP53M
	Standards/Approvals	Pb-Free, RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Product Type Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 1.0A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V
	Package Type WDFNW3
	Mount Type Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6.0V
	Minimum DC Current Gain hFE 63
	Maximum Power Dissipation Pd 1.5W
	Maximum Transition Frequency ft 130MHz
	Minimum Operating Temperature 65°C
	Transistor Polarity PNP
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series BCP53M
	Standards/Approvals Pb-Free, RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NSVBCP5316MTWG

Pays d'origine :: MY

The ON Semiconductor General Purpose Transistor Medium Power is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in DFN20203 offering superior thermal performance. The transistor is Ideal for medium−power surface mount applications where board space and reliability are at a premium.

AEC Q101 qualified

WDFNW3 package

Pb Free and Halogen Free

RoHS Compliant

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