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onsemi BCP5616MTWG Bipolar Transistor, 1.0 A NPN, 80 V dc, 3-Pin DFN2020-3

N° de stock RS:: 333-386
Référence fabricant:: BCP5616MTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi BCP5616MTWG Bipolar Transistor, 1.0 A NPN, 80 V dc, 3-Pin DFN2020-3

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N° de stock RS:: 333-386
Référence fabricant:: BCP5616MTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	1.0A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	80V dc
	Package Type	DFN2020-3
	Mount Type	Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	100V
	Maximum Transition Frequency ft	140MHz
	Minimum DC Current Gain hFE	63
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	6.0V
	Minimum Operating Temperature	65°C
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Power Dissipation Pd	1.5W
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	Pb-Free, RoHS
	Series	BCP56M
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Product Type Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 1.0A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V dc
	Package Type DFN2020-3
	Mount Type Surface
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V
	Maximum Transition Frequency ft 140MHz
	Minimum DC Current Gain hFE 63
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6.0V
	Minimum Operating Temperature 65°C
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Power Dissipation Pd 1.5W
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals Pb-Free, RoHS
	Series BCP56M
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BCP5616MTWG

Pays d'origine :: MY

The ON Semiconductor General Purpose Transistor Medium Power is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in DFN2020-3 offering superior thermal performance. The transistor is Ideal for medium−power surface mount applications where board space and reliability are at a premium.

AEC Q101 qualified

WDFNW3 package

Pb Free and Halogen Free

RoHS Compliant

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