Infineon Silicon Junction, Single, 80 A, 3-Pin 650 V TO-247 IDW80C65D2XKSA1

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Référence fabricant:
IDW80C65D2XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Diode Configuration

Single

Product Type

Silicon Junction

Maximum Forward Current If

80A

Sub Type

Silicon Junction

Mount Type

Through Hole

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Peak Reverse Recovery Time trr

36ns

Maximum Power Dissipation Pd

180W

Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

250A

Maximum Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

41.42mm

Length

16.13mm

Series

IDW80C65D2

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon Rapid 1 series switching emitter controller power silicon diode in common cathode configuration and in a TO-247 package, allowing design optimization for more compact dimensions, easier assembly and consequently lower costs. It is used in various applications like in telecom, UPS, welding, adapter, home appliance and air condition. It has forward current of 80 A.

1.35 V temperature-stable forward voltage

Highest softness-factor for ultimate softness and low EMI filtering

Low reverse recovery charge

Low reverse recovery current

For applications switching between 18 kHz and 40 kHz

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