Références fabricant

Vishay Silicon Diode, Small Signal Diode, 300 mA, 2-Pin 50 V DO-35 1N4150TR

N° de stock RS:: 180-8609
Référence fabricant:: 1N4150TR
Fabricant:: Vishay

Vishay Silicon Diode, Small Signal Diode, 300 mA, 2-Pin 50 V DO-35 1N4150TR

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Unité	Prix par unité	le paquet*
200 - 800	0,043 €	8,60 €
1000 - 1800	0,039 €	7,80 €
2000 - 4800	0,032 €	6,40 €
5000 - 9800	0,024 €	4,80 €
10000 +	0,022 €	4,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 180-8609
Référence fabricant:: 1N4150TR
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Maximum Forward Current If	300mA
	Product Type	Silicon Diode
	Diode Configuration	Small Signal Diode
	Mount Type	Through Hole
	Sub Type	Silicon Diode
	Package Type	DO-35
	Pin Count	2
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	4A
	Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	50V
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Peak Reverse Recovery Time trr	4ns
	Maximum Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	1.7 mm
	Length	3.9mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.7mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Maximum Forward Current If 300mA
	Product Type Silicon Diode
	Diode Configuration Small Signal Diode
	Mount Type Through Hole
	Sub Type Silicon Diode
	Package Type DO-35
	Pin Count 2
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 4A
	Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 50V
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Peak Reverse Recovery Time trr 4ns
	Maximum Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 1.7 mm
	Length 3.9mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Vishay Switching Diode

The Vishay switching diode has an electrical rating of 50V reverse voltage and 100nA reverse current. A switching diode is a two-terminal PN junction device that can be used to switch signals or act as a rectifier at low voltages. It has a forward current of 200mA and forward voltage of 1V.

Features and Benefits

• High forward current capability

• It is a silicon epitaxial small signal fast switching device

• Low forward voltage drop

• Marking type is 1N4150

• Operating temperature ranges between -65°C and 175°C

• Power dissipation is 500mW

• Recovery time is 4ns

• Through hole mounting type

Applications

• Fast switching devices

• General purpose use in computers

• Industrial applications

• Microcontrollers

Certifications

• AEC-Q101

• E3 level certified