Vishay Silicon Diode, Small Signal Diode, 300 mA, 2-Pin 75 V DO-35 1N4448TR

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180-8725
Référence fabricant:
1N4448TR
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Silicon Diode

Maximum Forward Current If

300mA

Diode Configuration

Small Signal Diode

Sub Type

Silicon Diode

Mount Type

Through Hole

Package Type

DO-35

Pin Count

2

Peak Reverse Recovery Time trr

4ns

Maximum Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

2A

Maximum Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

75V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.9mm

Standards/Approvals

No

Height

1.7mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Vishay Switching Diode


The Vishay switching diode has an electrical rating of 100V reverse voltage and 5μA reverse current. A switching diode is a two-terminal PN junction device that can be used to switch signals or act as a rectifier at low voltages. It has a forward current of 100mA and forward voltage of 1V.

Features and Benefits


• It is a silicon epitaxial small signal fast switching device

• Marking type is V4448

• Operating temperature ranges between -65°C and 175°C

• Power dissipation is 500mW

• Recovery time is 4ns

• Through hole mounting type

Applications


• Fast switching devices

• Microcontrollers

Certifications


• AEC-Q101

• E2 level certified

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