Infineon SRAM Memory Chip, CY62148ELL-55SXI- 4Mbit

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N° de stock RS:
188-5324
Référence fabricant:
CY62148ELL-55SXI
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Memory Size

4Mbit

Organisation

512k x 8 bit

Number of Words

512k

Number of Bits per Word

8bit

Maximum Random Access Time

55ns

Address Bus Width

8bit

Clock Frequency

1MHz

Low Power

Yes

Timing Type

Asynchronous

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOIC

Pin Count

32

Dimensions

20.75 x 11.43 x 2.88mm

Height

2.88mm

Maximum Operating Supply Voltage

5.5 V

Minimum Operating Supply Voltage

4.5 V

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Length

20.75mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

11.43mm

Pays d'origine :
US

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor


The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

Very high speed: 45 ns
Voltage range: 4.5 V to 5.5 V
Pin compatible with CY62148B
Ultra low standby power
Typical standby current: 1 μA
Maximum standby current: 7 μA (Industrial)
Ultra low active power
Typical active current: 2.0 mA at f = 1 MHz
Easy memory expansion with CE, and OE features
Automatic power-down when deselected
Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) for optimum speed and power
Available in Pb-free 32-pin thin small outline package (TSOP) II and 32-pin small-outline integrated circuit (SOIC)[1] packages


SRAM (Static Random Access Memory)

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