Références fabricant

Infineon SRAM, CY62148ELL-55SXI- 4Mbit

N° de stock RS:: 124-2941
Référence fabricant:: CY62148ELL-55SXI
Fabricant:: Infineon

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16,17 €

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Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 8	8,085 €	16,17 €
10 - 18	7,87 €	15,74 €
20 - 98	7,66 €	15,32 €
100 - 498	7,45 €	14,90 €
500 +	7,275 €	14,55 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 124-2941
Référence fabricant:: CY62148ELL-55SXI
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Memory Size	4Mbit
	Organisation	512k x 8 bit
	Number of Words	512k
	Number of Bits per Word	8bit
	Maximum Random Access Time	45ns
	Address Bus Width	8bit
	Clock Frequency	1MHz
	Low Power	Yes
	Timing Type	Asynchronous
	Mounting Type	Surface Mount
	Package Type	SOIC
	Pin Count	32
	Dimensions	20.75 x 11.43 x 2.81mm
	Height	2.81mm
	Maximum Operating Supply Voltage	5.5 V
	Width	11.43mm
	Minimum Operating Temperature	-40 °C
	Length	20.75mm
	Maximum Operating Temperature	+85 °C
	Minimum Operating Supply Voltage	4.5 V

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Memory Size 4Mbit
	Organisation 512k x 8 bit
	Number of Words 512k
	Number of Bits per Word 8bit
	Maximum Random Access Time 45ns
	Address Bus Width 8bit
	Clock Frequency 1MHz
	Low Power Yes
	Timing Type Asynchronous
	Mounting Type Surface Mount
	Package Type SOIC
	Pin Count 32
	Dimensions 20.75 x 11.43 x 2.81mm
	Height 2.81mm
	Maximum Operating Supply Voltage 5.5 V
	Width 11.43mm
	Minimum Operating Temperature -40 °C
	Length 20.75mm
	Maximum Operating Temperature +85 °C
	Minimum Operating Supply Voltage 4.5 V

CY62148ELL-55SXI-Cypress-Semiconductor

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

Very high speed: 45 ns
Voltage range: 4.5 V to 5.5 V
Pin compatible with CY62148B
Ultra low standby power
Typical standby current: 1 μA
Maximum standby current: 7 μA (Industrial)
Ultra low active power
Typical active current: 2.0 mA at f = 1 MHz
Easy memory expansion with CE, and OE features
Automatic power-down when deselected
Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) for optimum speed and power
Available in Pb-free 32-pin thin small outline package (TSOP) II and 32-pin small-outline integrated circuit (SOIC)[1] packages

SRAM (Static Random Access Memory)

Infineon SRAM, CY62148ELL-55SXI- 4Mbit

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

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